Ця стаття обчислює розщеплення долин у надґратках Si/SiGe, використовуючи ab initio теорію функціоналу густини (DFT), яка забезпечує відмінний опис інтерфейсів, деформацій та атомного безладу. Вона також порівнює атомний метод сильного зв'язку та теорію "2k_0" з DFT, виявляючи обмеження напів-емпіричних методів у описі атомного безладу.

Стаття розглядає критичну проблему точності спінових кубітів у кремнії: величину та керованість розщеплення долин ($E_{VS}$) у гетероструктурах Si/SiGe. Використовуючи розрахунки з перших принципів (теорія функціонала густини - DFT), автори виходять за межі обмежень теорії ефективної маси (EMT), яка часто не може точно відобразити атомістичні ефекти на інтерфейсах. Дослідження надає ретельний аналіз впливу різкості інтерфейсу, сходинок та концентрації Ge на фазу та величину долин. Однак дослідження має обмеження щодо обчислювальної масштабованості; моделювання реалістичного далекосяжного безладу за допомогою повного DFT є надмірно витратним, що вимагає використання відносно малих суперкомірок, які можуть не ідеально відображати макроскопічні варіації пристрою. Крім того, хоча теоретичні передбачення є надійними, пряма кореляція з експериментальними даними часто ускладнюється неможливістю характеризувати приховані інтерфейси з атомною точністю в реальних пристроях.